Цены на чипы HBM (память с высокой пропускной способностью) вырастут на пять-десять процентов к 2025 году, когда, по прогнозам аналитиков, на них будет приходиться более 30 процентов всего мирового рынка DRAM.
По мнению TrendForce, рынок HBM ожидает «бурный рост», обусловленный значительным повышением цен и увеличением потребности в емкости для чипов искусственного интеллекта.
HBM - это набор плашек памяти, соединенных с интерпозером, который обеспечивает более быстрое подключение к GPU и большую емкость по сравнению с DIMM, подключаемыми к сокету x86.
Цены на чипы HBM (память с высокой пропускной способностью) вырастут на пять-десять процентов к 2025 году, когда по прогнозам аналитиков, на них будет приходиться более 30 процентов всего мирового рынка DRAM.
По мнению TrendForce, рынок HBM ожидает «бурный рост», обусловленный значительным повышением цен и увеличением потребности в емкости для чипов искусственного интеллекта.
В прошлом месяце производитель DRAM и NAND компания SK hynix сообщила о росте доходов за первый квартал на 144 %, чему способствовал резкий рост спроса на чипы HBM.
Как отмечает TrendForce, цены продаж HBM в несколько раз выше, чем у обычной DRAM, и примерно в пять раз выше, чем у DDR5. По словам аналитика, такая цена в сочетании с итерациями технологии чипов ИИ, увеличивающими емкость HBM для одного устройства, приведет к «резкому росту» доли HBM в емкости и стоимости рынка DRAM в период с 2023 по 2025 год.
«Доля HBM в общей емкости DRAM вырастет с 2 % в 2023 году до 5 % в 2024 году, а к 2025 году превысит 10 %», - сказала Аврил Ву, старший вице-президент TrendForce по исследованиям. Что касается рыночной стоимости, то, по ее прогнозам, в 2024 году на долю HBM будет приходиться более 20 % от общей стоимости рынка DRAM, а к 2025 году она «потенциально превысит» 30 %.
Ву также добавила, что переговоры о ценообразовании на HBM 2025 года «уже начались» во втором квартале 2024 года. Однако из-за ограниченной общей емкости DRAM поставщики предварительно повысили цены, чтобы справиться с нехваткой мощностей, что отразилось на чипах HBM2e, HBM3 и HBM3e.
Эта ранняя фаза переговоров объясняется тремя основными факторами. Во-первых, покупатели HBM сохраняют высокую уверенность в перспективах спроса на AI и готовы согласиться на дальнейшее повышение цен. Во-вторых, уровень выхода TSV (Through Silicon Via) для HBM3e в настоящее время составляет от 40 до 60 %, и есть возможность его повысить. Хотя не все крупные поставщики прошли квалификационный отбор для HBM3e, покупатели готовы согласиться на более высокие цены, чтобы обеспечить стабильные и качественные поставки.
TSV (Through Silicon Via) - это вертикальная шина, используемая для точного соединения сложенных в стопку микросхем. Они формируются путем вытравливания канавок в кремнии и последующего заполнения их изолирующими прокладками и металлическими проводами.
В-третьих, будущие цены за гигабайт могут варьироваться в зависимости от надежности и возможностей поставщиков DRAM, что может привести к диспропорциям в средней цене продажи и, как следствие, повлиять на рентабельность.
В перспективе до 2025 года, с точки зрения основных поставщиков решений для ИИ, произойдет значительный сдвиг в требованиях к спецификации HBM в сторону HBM3e, отмечает TrendForce, и ожидается увеличение количества продуктов с 12-слойным стеком (12Hi). Ожидается, что этот сдвиг приведет к увеличению емкости одного чипа HBM.